Samsung es uno de los grandes productores de memoria DRAM y NAND a nivel mundial, y sus chips son utilizados por varios fabricantes de memorias. Hoy, la firma surcoreana anunció que comenzó la producción en masa de su segunda generación de DRAM bajo el proceso de fabricación de 10 nm.
Según la voz de Gyoyoung Jin, el presidente de Samsung, esta nueva tecnología permitirá aumentar la productividad en un 30%, comparado con el anterior proceso de fabricación a 10 nm. Al mismo tiempo, el responsable aseguró que el rendimiento aumentará un 10%; mientras que la eficiencia energética se incrementará en 15%.
Estas mejoras no solo se deben a la tecnología EUV, sino también a técnicas de diseño propietarias de Samsung: espaciadores de aire para disminuir la capacitación parasítica, reduciendo así el uso excesivo de energía necesaria para aumentar el rendimiento de las celdas de memoria.
Además, la firma indica que sus nuevos chips operan a 3.600 Mbps, ofreciendo una mejora sustancial sobre los 3.200 Mbps de la memoria actual. Así, la próxima generación de memoria DDR4 de Samsung permitirá la producción de kits de memoria de alta velocidad con procesos de agrupamiento de IC menos extremos, algo que también haría bajar el precio de las DDR4.
La firma indica que esta técnica no es exclusiva de la DDR4 sino que también se empelarán en futuros estándares de DRAM como HBM3, DDR5, GDDR6 y LPDDR5.
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